日前中芯国际联席ceo梁孟松博士首次公开了中芯国际n+1、n+2代工艺的情况,透露n+1工艺相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%,soc面积缩小55%,之后的n+2工艺性能和成本都更高一些。
业界普遍认为,中芯国际n+1工艺相当于台积电第一代7nm工艺,n+2则相当于台积电7nm+,重点在提升性能,年底即可量产。
今天,中芯国际相关人士详细解释了n+1工艺,也澄清了一些误会。
首先需要强调的是,n+1是中芯国际的内部代号,并不等于7nm。
据介绍,中芯国际n+1工艺在去年第四季度完成流片,目前正处于客户产品验证阶段,预计第四季度有限量产。
与市场上的7nm相比,中芯国际n+1在功耗、稳定性方面非常相似,唯一的区别就是性能,n+1的性能比14nm提高了约20%,但市场基准提升幅度是35%,所以有差距,但这也是唯一的差距。
如果是从功耗、稳定性方面而言,可以将中芯国际n+1称为7nm,而在性能方面确实要比7nm差。
中芯国际对n+1的目标是低成本应用,可以将成本相对市场上的7nm减少大约10%,因此是一个非常特殊的工艺节点。
从中芯国际的表态看,n+1更类似于台积电、三星的10nm,或者有点像三星的8nm,因为20%的性能提升幅度远低于台积电预计的30%、实际的35%。
至于n+2工艺,与市场7nm更为接近,尤其是稳定性,但是性能仍然略逊一筹。
另外随着台积电、三星陆续导入euv极紫外光刻,中芯国际也在加速推进,但是梁孟松曾明确表示,
中芯国际无需euv就能达成7nm,当然后续的5nm、3nm是必须要有euv的。
其实,台积电第一代7nm也没有用euv而是继续传统duv,7nm+才有限导入euv,几十层光罩中只有几层使用。

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