光刻机的演变及今后发展趋势
      微电子技术的发展一直是光刻设备和技术变革的动力，21世纪光刻技术将继续居于诸多技术之首。本文通过介绍光刻机的演变和所面临的挑战，揭示下一代光刻设备的发展潜力，通过比较浸没式光刻、极紫外光刻机和电子束曝光机的开发现状和特点，预言将来利用极紫外光刻机、电子束曝光机和光学光刻机的结合，实现产业需要的各种图形的制备。
晋宇达电子是一家专门从事提供集成电路生产线关键设备 光刻机的销售、安装、翻新、改造、再制造、备件耗材及技术咨询成套解决方案的高新技术企业。
光刻注意事项给出如下：
曝光
曝光是通过具有所要图形的模版，将图形传递到胶模上。光源一般采用汞灯或汞氙灯，所发光波长为紫外。对于正胶来说，曝光使得透光区的大分子链被破坏，显影的时候这部分被去除；而对于负胶来说，曝光使得透光区的小分子发生交连，显影时这部分被保留。所以正、负胶对于同一块模版来说，所刻出的图形是互补的。
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     光刻机中工作台上设置有一个特定的检测系统(1nsitu)，在检测系统上设置了几组基准标记(fiducialmark)，每台设备中各基准标记相对于曝光轴之间的距离是一组设备常数，在设备出厂前作为机器常数存放在相应的软件文件中。但由于硬件安装、环境变化等多方面原因会造成实际位置和设备常数之间有一个偏差值，即所谓的基准补偿值(baselineoffset)，通过标准片在不同设备上曝光的位置可以求出隔栅误差的各种差异，进而根据匹配要求，适当加入-定量的基准补偿值进而达到最.佳的隔栅误差匹配。

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